Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser

Ramírez, Iliana M.; López, Francisco E.

dc.creator	Ramírez, Iliana M.
dc.creator	López, Francisco E.
dc.date	2010-12-15
dc.date.accessioned	2021-03-18T21:05:29Z
dc.date.available	2021-03-18T21:05:29Z
dc.identifier	https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468
dc.identifier	10.22430/22565337.468
dc.identifier.uri	http://test.repositoriodigital.com:8080/handle/123456789/11586
dc.description	We study the electronic Landé factor control by changing of both intensity and frequency intense laser field on cylindrical quantum well wire. We use the laser dressed approximation for treated the “quantum wire + laser” system as quantum wire in the absence of radiation but with parameter (electronic barrier height and electronic effective mass) renormalized by laser effects. We consider a magnetic field applied to parallel direction of symmetric axis of quantum well wire. We take into account nonparabolicity and anisotropy effects on the conduction band by Ogg-McCombe Hamiltonian.	en-US
dc.description	En el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistema “hilo cuántico + láser” como un hilo cuántico en ausencia de radiación, pero con parámetros (altura de la barrera para los electrones de conducción y masa efectiva electrónica) renormalizados por los efectos del láser. Se tiene en cuenta un campo magnético aplicado en la dirección paralela al eje del hilo cuántico. Los efectos de la no parabolicidad y de la anisotropía de la banda de conducción son tenidos en cuenta mediante el uso del Hamiltoniano de Ogg-McCombe.	es-ES
dc.format	application/pdf
dc.language	spa
dc.publisher	Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM)	en-US
dc.relation	https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468/474
dc.rights	Copyright (c) 2017 Tecno Lógicas	en-US
dc.source	TecnoLógicas; Special edition II (2010); 49-59	en-US
dc.source	TecnoLógicas; Edición Especial II (2010); 49-59	es-ES
dc.source	2256-5337
dc.source	0123-7799
dc.subject	Landé factor	en-US
dc.subject	laser dressing	en-US
dc.subject	magnetic field	en-US
dc.subject	quantum well wire	en-US
dc.subject	semiconductors.	en-US
dc.subject	Campo magnético	es-ES
dc.subject	factor de Landé	es-ES
dc.subject	hilos cuánticos	es-ES
dc.subject	láser	es-ES
dc.subject	semiconductores	es-ES
dc.title	Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser	en-US
dc.title	Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser	es-ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	Articles	en-US
dc.type	Artículos	es-ES

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