Hall effect and electrical resistivity of ZnO thin films deposited by reactive evaporation

Mesa Rodríguez, Fredy Giovanni; Arredondo Orozco, Carlos Andrés

Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva

dc.creator	Mesa Rodríguez, Fredy Giovanni
dc.creator	Arredondo Orozco, Carlos Andrés
dc.date	2010-12-01
dc.date.accessioned	2022-05-25T14:01:01Z
dc.date.available	2022-05-25T14:01:01Z
dc.identifier	https://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/2681
dc.identifier.uri	http://test.repositoriodigital.com:8080/handle/123456789/36080
dc.description	In this work, results about theconcerning of themost influential parameter on the figure of meritof ZnO thin films deposited by the reactiveevaporation method are showed. This parameter isthe content of oxygen in the preparation chamber.It was established that the best figure of meritdefined in terms resistivity and the transmittance,is achieved for oxygen contents corresponding to apartial pressure of around 0.3 mbar. This samplespresent simultaneously high transmission (>80%)and high conductivity (>103 (Ωcm)–1), which makethem adequate for being used as transparent electriccontact in thin film solar cells. Special emphasiswas devoted to the determination of the electricalresistivity and carrier density by van der Pauw method.	en-US
dc.description	La investigación del presente trabajo muestraque el parámetro de mayor influencia sobre lafigura de mérito de películas delgadas de ZnOdepositadas por el método de evaporaciónreactiva, es el contenido de oxigeno en la cámarade preparación. Se establece que la mejor figurade mérito está definida en términos de resistividady de transmitancia espectral, con contenido deoxigeno correspondiente a una presión parcial de0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamentealta transmisión (>80%) y conductividad (>103W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contactoeléctrico transparente en celdas solares. El especialénfasis esta dedicado a la determinación de laresistividad eléctrica y concentración de portadoresde carga a través del método de van der Pauw.	es-ES
dc.format	application/pdf
dc.language	spa
dc.publisher	Universidad Libre	es-ES
dc.relation	https://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/2681/2107
dc.source	Avances: Investigación en Ingeniería; Vol. 1 No. 13 (2010): Avances Investigación en Ingeniería; 15-19	en-US
dc.source	Avances Investigación en Ingeniería; Vol. 1 Núm. 13 (2010): Avances Investigación en Ingeniería; 15-19	es-ES
dc.source	2619-6581
dc.source	1794-4953
dc.subject	ZnO	en-US
dc.subject	thin films	en-US
dc.subject	reactive evaporation	en-US
dc.subject	Hall effect	en-US
dc.subject	electrical resistivity	en-US
dc.title	Hall effect and electrical resistivity of ZnO thin films deposited by reactive evaporation	en-US
dc.title	Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva	es-ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	Peer reviewed Article	en-US

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