Synthesis and study of the substrate effect on morphological properties of intrinsic silicon thin films

Dussan Cuenca, Anderson; Mesa Rodríguez, Fredy Giovanni; Hidalgo, Camilo

Síntesis y estudio del efecto del sustrato sobre las propiedades morfológicas de películas delgadas de Silicio intrínseco

dc.creator	Dussan Cuenca, Anderson
dc.creator	Mesa Rodríguez, Fredy Giovanni
dc.creator	Hidalgo, Camilo
dc.date	2010-12-01
dc.date.accessioned	2022-05-25T14:01:01Z
dc.date.available	2022-05-25T14:01:01Z
dc.identifier	https://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/2684
dc.identifier.uri	http://test.repositoriodigital.com:8080/handle/123456789/36082
dc.description	In this work, microcrystalline Si intrinsicsurfaces has been grown on substrateCorning glass 7059, steel and typical wafersc-Si exhibiting (111) preferential orientation.Microcrystalline silicon samples were preparedfrom plasma enhanced chemical vapor method(PECVD). Mofology was studied by AtomicForce Microscopy (AFM). Samples Si depositedon steel revealed regions characterizedinteracting with surface and/or subsurface andedges presents on substrate. A preferred growthin ramal form of Si intrinsic was found firstlyin Silicon films on typical wafers c-Si substrate.Typical c-Si has grain sizes of 100 μm whereas Sion substrates contains much smaller crystalliteswith grains sizes closer to 10nm. The nature ofthe growing roughness of the deposited Si waswell characterized by varing between 400 and750 nm.	en-US
dc.description	En este trabajo se presenta un estudio detalladode la morfología de películas delgadas de siliciomicrocristalino (mc-Si) intrínseco depositado sobrediferentes sustratos: vidrio Corning 7059, aceroinoxidable, Si monocristalino con crecimiento en elplano (111). Las muestras de Si fueron preparadaspor el método de deposición química en fase de vaporasistida por plasma (PECVD). La morfología fueestudiada a partir de medidas de Microscopía de FuerzaAtómica (AFM) realizadas a temperatura ambiente ypresión atmosférica. Se evidenció que las muestrasde Si depositadas sobre acero inoxidable presentanregiones marcadas por fisuras presentes en el sustratoen comparación con las muestras depositadas sobrelos otros sustratos. Se observó que un crecimiento enforma de ramal, influencia la nucleación de los granoscuando el Si se deposita sobre Si monocristalino.Se obtuvo un valor para el tamaño de grano menora los 10 nm en todas las muestras y una rugosidaddependiente del sustrato que varió entre 400 y 750 nm.	es-ES
dc.format	application/pdf
dc.language	spa
dc.publisher	Universidad Libre	es-ES
dc.relation	https://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/2684/2109
dc.source	Avances: Investigación en Ingeniería; Vol. 1 No. 13 (2010): Avances Investigación en Ingeniería; 26-34	en-US
dc.source	Avances Investigación en Ingeniería; Vol. 1 Núm. 13 (2010): Avances Investigación en Ingeniería; 26-34	es-ES
dc.source	2619-6581
dc.source	1794-4953
dc.subject	Silicio	es-ES
dc.subject	AFM	es-ES
dc.subject	películas sólidas finas	es-ES
dc.subject	Silicon	en-US
dc.subject	AFM	en-US
dc.subject	Thin Solid Films	en-US
dc.title	Synthesis and study of the substrate effect on morphological properties of intrinsic silicon thin films	en-US
dc.title	Síntesis y estudio del efecto del sustrato sobre las propiedades morfológicas de películas delgadas de Silicio intrínseco	es-ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	Peer reviewed Article	en-US

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